邱凯-中国科学院大学-UCAS
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教育背景
工作经历
专利与奖励
出版信息
基本信息
邱凯 男 硕导 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所电子邮件： kqiu2008@sinano.ac.cn通信地址： 江苏省苏州市独墅湖高教区若水路398号邮政编码： 215125
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体材料与器件
教育背景
2005-03--2008-03 中科院固体物理所 理学博士1986-09--1991-07 吉林大学电子学科系半导体化学 理学学士
工作经历
工作简历
2008-08~现在, 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 教授级高级工程师2005-03~2008-03,中科院固体物理所, 理学博士2003-03~现在, 中国科学院固体物理所, 副研究员1991-08~现在, 南京电子器件研究所, 高级工程师1986-09~1991-07,吉林大学电子学科系半导体化学, 理学学士
专利与奖励
专利成果
（ 1 ）&nbsp一种用于均匀出气的气体分配器,&nbsp2010,&nbsp第 2 作者,&nbsp专利号: CN201010296275.6（ 2 ）&nbsp超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶,&nbsp2010,&nbsp第 1 作者,&nbsp专利号: ZL200710022718.0（ 3 ）&nbsp用于CVD反应器的进气装置,&nbsp2010,&nbsp第 1 作者,&nbsp专利号: 201010168749.9（ 4 ）&nbsp一种垂直喷淋式MOCVD反应器,&nbsp2010,&nbsp第 4 作者,&nbsp专利号: CN201010168746.5（ 5 ）&nbsp霍尔型离子源,&nbsp2010,&nbsp第 1 作者,&nbsp专利号: ZL200610098167.1（ 6 ）&nbsp巨磁阻磁传感器及其制备方法,&nbsp2010,&nbsp第 2 作者,&nbsp专利号: ZL2006101559738.0（ 7 ）&nbsp用于10-8 Pa超高真空圆形平面磁控溅射靶的密封装置,&nbsp2009,&nbsp第 1 作者,&nbsp专利号: ZL200610096144.7（ 8 ）&nbsp氮化镓薄膜材料的制备方法,&nbsp2009,&nbsp第 5 作者,&nbsp专利号: ZL200510040096.5（ 9 ）&nbsp用于超高真空的磁控溅射阴极靶,&nbsp2009,&nbsp第 2 作者,&nbsp专利号: ZL200610096651.0（ 10 ）&nbsp具有低电流集边效应的金属/GaN/AlGaN/GaN横向肖特基二极管及其制备方法,&nbsp2009,&nbsp第 4 作者,&nbsp专利号: ZL200610097597.1（ 11 ）&nbsp高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备,&nbsp2009,&nbsp第 1 作者,&nbsp专利号: ZL200510094984.5（ 12 ）&nbsp自剥离氮化镓衬底材料的制备方法,&nbsp2009,&nbsp第 1 作者,&nbsp专利号: ZL200610096225.7（ 13 ）&nbsp用于超高真空系统的中空阳极离子源,&nbsp2008,&nbsp第 2 作者,&nbsp专利号: CN200810195737.8
出版信息
发表论文
（1） Internal quantum efficiency analysis of solar cell by genetic algorithm, SOLAR ENERGY, 2010, 通讯作者（2） Analysis of lateral current spreading in solar cell devices by spatially-resolved electroluminescence, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 通讯作者（3） The influence of reactor pressure on qualities of GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy, THIN SOLID FILMS, 2009, 通讯作者（4） Polarity analysis of self-seeded aluminum nitride crystals grown by sublimation, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2008, 第 4 作者（5） Threading dislocations related persistent photoconductivity effect in hydride vapor phase epitaxy grown GaN epilayers, EPL, 2008, 第 1 作者（6） Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy, CHINESE PHYSICS B, 2008, 第 3 作者（7） Effects of in situ annealing on optical and structural properties of GaN epilayers grown by HVPE, 半导体学报, 2008, 第 2 作者（8） Effect of crucibles on qualities of self-seeded aluminium nitride crystals grown by sublimation, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 第 3 作者（9） Preparation of porous GaN buffer and its influence on the residual stress of GaN epilayers grown by hydride vapor phase epitaxy, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE TECHNOLOGY, 2007, 第 2 作者（10） Low-resistance Ohmic contact on undoped AlGaN/GaN heterostructure with surface treatment using CCl2F2 reactive ion etching, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 第 2 作者（11） GaN layers with different polarities prepared by radio frequency molecular beam epitaxy and characterized by Raman scattering, CHINESE PHYSICS, 2007, 第 3 作者（12） Properties of GaN on different polarity buffer layers by hydride vapour phase expitaxy, CHINESE PHYSICS, 2007, 第 1 作者（13） The effect of low-temperature annealing on ferromagnetic Ga1-xMnxAs thin films studied by photoemission spectroscopy, EPL, 2007, 第 4 作者（14） Study of the transport properties of annealed (Ga,Mn)As by x-ray absorption spectroscopy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 第 4 作者（15） Theoretical analysis of current crowding effect in metal/AlGaN/GaN Schottky diodes and its reduction by using polysilicon in anode, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 第 4 作者（16） Growth of GaN on buffer layers with different polar ties by hydride vapor-phase epitaxy, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2007, 第 1 作者（17） Effect of reactor pressure on qualities of GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 第 1 作者（18） Effect of III/V ratio of HT-AlN buffer layer on polarity selection and electrical quality of GaN films grown by radio frequency molecular beam epitaxy, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 第 2 作者（19） Improvement of surface morphology of RF MBE Grown (0001) GaN via In-protected growth interruption modulation, 半导体学报, 2007, 第 2 作者（20） Growth of thick GaN films on mixed-polarity buffer by halide vapor phase epitaxy, 半导体学报, 2007, 第 3 作者（21） Persistent photo-conductivities from extended defects in GaN films with high resistivity, AIP CONFERENCE PROCEEDINGS, 2007, 第 3 作者（22） Growth of strain free GaN layers on (0001) oriented sapphire by using quasi-porous GaN template, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 第 3 作者（23） Synchrotron radiation study on Au/GaN(0001) interface with low coverage, ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 通讯作者（24） Growth and characteristics of InP/InxGa1-xAs/In 0.53Ga0.47As HEMTs, 13th International Conference on Semiconducting and Insulating Material, 2004, 第 2 作者（25） MBE growth of GaAs-based heterojunction materials and their application, 固体电子学研究与进展, 2002, 第 1 作者（26） MBE growth of PHEMT material and its application, 电子器件, 2001, 第 1 作者（27） Electron transport in the AlGaAs/InGaAs double-heterostructure pseudomorphic high-electron-mobility transistor, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000, 通讯作者
2013 中国科学院大学，网络信息中心.